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产品信息
铟镓砷探测器(InGaAs)
新势力光电供应铟镓砷探测器(InGaAs),*探测直径可达3mm,具有低暗电流和高灵敏度的特点,封装形式包括:TO针脚形式和SMD贴片形式。其中,可见光增强模块可选。
InGaAs detectors (high sensitivity up to 1700nm)
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T*e No.
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Active area
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Dark current
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Spectral responsivity
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Waveband
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Chip
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Package
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Size
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Area
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5V
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650nm
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1550nm
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-
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mm
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mm2
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nA
|
A/W
|
A/W
|
nm
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PC0.7-i
|
LCC6.1
|
1.0
|
0.7
|
2
|
0.05
|
0.95
|
900-1700
|
PC0.7-i
|
TO52S1
|
1.0
|
0.7
|
2
|
0.05
|
0.95
|
900-1700
|
PC0.7-ix
|
LCC6.1
|
1.0
|
0.7
|
2
|
0.3
|
0.95
|
600-1700
|
PC0.7-ix
|
TO52S1
|
1.0
|
0.7
|
2
|
0.3
|
0.95
|
600-1700
|
PC2.6-i
|
TO5i
|
2.0
|
2.6
|
10
|
0.05
|
0.95
|
900-1700
|
PC7.1-i
|
TO5i
|
3.0
|
7.1
|
25
|
0.05
|
0.95
|
900-1700
|
updated:2012-07-28
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